文章摘要:采用根管土柱栽培的方法，研究不同水分胁迫（W1：正常供水；W2：中度干旱；W3：重度干旱）下施磷深度(距离地表10 cm、20 cm和30 cm施磷以及3层均匀施入磷肥（P10、P20、P30和P-all）对苦荞盛花期根系抗氧化特性和产量的影响，以期为苦荞旱地栽培提供技术支持和理论依据。结果表明，水分胁迫、施磷深度及二者交互作用对苦荞盛花期根系抗氧化特性、产量及其构成因素均有显著或极显著影响。在盛花期，随着水分胁迫程度的增加，不同土层深度苦荞根系MDA含量呈显著增加的趋势；SOD、POD活性总体呈先升高后降低的趋势，以W2处理最高。与W1处理相比，W2处理0～10、10～20、20～30、30～45 cm土层根系SOD 活性分别平均提高 33.71%、42.62%、46.77%、41.32%，POD活性分别平均提高43.73%、41.55%、39.42%、42.03%。从不同施磷深度看，无论在哪种水分条件下，施磷均会提高施磷层苦荞根系SOD、POD活性，降低MDA含量，且深层施磷有利于本层以及下层根系抗氧化酶活性的提高，降低MDA含量。随着水分胁迫程度的增加，苦荞产量及其构成因素均呈显著下降的趋势，与W1处理相比，W3处理苦荞主茎分枝数、单株粒数、千粒质量、产量分别平均降低 23.77%、35.30%、9.66%、14.13%。无论在哪种水分条件下，P20处理苦荞主茎分枝数、单株粒数、千粒质量、产量均达到最高值。综上，无论在哪种水分条件下，苦荞产量均以距离地表20 cm深处施磷（P20处理）处理最高，建议在旱作农业种植苦荞时通过适当深施磷肥，达到增产的目的。

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